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jet300nt程序調(diào)試及原理

日期：2024-08-02 23:34
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摘要：

jet300nt程序調(diào)試及原理
FET可分為二種：a. JFET、b. MOSFET 空乏型及增強(qiáng)型。
a. MOSFET增強(qiáng)型如圖：
程式設(shè)定如下：
Device
STDVAL
ACTVAL
+%
-%
MD
A
B
G1
Q1
0
0.7V
30%
30%
DT
3
2
　
Q1
0.2
3V
10%
70%
N
2
3
1

控制閘極(gate)電壓由2V~3V直到導(dǎo)通為止，即可測(cè)試出來(lái)。
b. JFET. MOSFET空乏型

程式設(shè)定如下：
Device
STDVAL
ACTVAL
+%
-%
MD
A
B
G1
Q1
3
3V
30%
30%
PF
2
2
1
Q1
0.2
01V
30%
90%
N
2
3
1

控制閘極(gate)電壓直到夾止。

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　2. 試問(wèn)如何用三端點(diǎn)量測(cè)法來(lái)測(cè)試電晶體 ?　
日規(guī)電晶體量測(cè)只須量BC、BE兩端之二極體，就可量測(cè)到是否空焊反接(如程式1、2項(xiàng))，但美規(guī)電晶體由於Base腳在中間，因此須用三端點(diǎn)來(lái)量測(cè) (程式第3項(xiàng))，才能偵測(cè)到反接的問(wèn)題。

程式設(shè)定如下
STEP
Device
STDVAL
ACTVAL
+%
-%
MD
A
B
G1
1
Q1
0
0.7V
30%
30%
DT
1
2
　
2
Q1
0
0.7V
30%
30%
DT
1
3
　
3
Q1
0.2V
1V
10%
-90%
N
2
3
1

控制基極(B)電壓，使電晶體飽合。

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　3.試問(wèn)電容、電阻、電感、二極體在何種情形下無(wú)法量測(cè) ?　

Paralleled
R1
L1
C1
D1
R2
1
2
3
4
L2
2
5
6
7
C2
3
6
8
9
D2
4
7
9
10

  1. 當(dāng)R1>10R2，R1無(wú)法量測(cè)
  2. 當(dāng)XL>10R2，L無(wú)法量測(cè); XL=2πfL.
    當(dāng)R2>10XL，R2無(wú)法量測(cè).
  3. 當(dāng)電容值較大時(shí)，量R需增加Delay或用CV MODE，當(dāng)10R2<Xc，C無(wú)法量測(cè).
  4. 當(dāng)R2>10時(shí)，D反向時(shí)可偵測(cè)，否則無(wú)法量測(cè).
  5. 當(dāng)L2>10L1，L2無(wú)法量測(cè).
  6. 當(dāng)10XL<Xc，C無(wú)法量測(cè)，當(dāng)10Xc<XL，L無(wú)法量測(cè).
  7. 當(dāng)RL (即電感內(nèi)直流電阻)<10時(shí)， D無(wú)法量測(cè).
  8. 當(dāng)C2>10C1時(shí)，C1不可測(cè)，注意此特性與R、L相反.
  9. 當(dāng)電容值較大時(shí)，量D需加Delay，量C時(shí)需注意方向性.
  10. 當(dāng)D1， D2同向並聯(lián)時(shí)，必須用CM MODE，否則無(wú)法量測(cè).
     

　4. 試問(wèn)JET-300可否擴(kuò)充成雙壓床 ?　
可。只須將程式JET300N.EXE RENAME成JET300D.EXE。再將MotherBoard上ReTest跳線拿掉，機(jī)器便可使用雙壓床。

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　5. 如何判斷TestJet硬體本身好壞或裝配是否良好 ?　
量Testjet sensor plate 二端， 先到編輯程式將cursor移至待測(cè)sensor plate測(cè)試項(xiàng)目，按F9

　1.當(dāng)Vdc=0V時(shí)， 可能：
　　a. 探針號(hào)碼設(shè)定有誤
　　b. SYSTEM BOARD，MULTIPLEX BOARD 或.CABLE**
　　c. 有斷線現(xiàn)象
　2.當(dāng)Vdc=5V時(shí)，sensor plate有斷開(kāi)現(xiàn)象
　3.當(dāng)Vdc=0.7V時(shí)，sensor plate有裝反現(xiàn)象
　4.當(dāng)Vdc=4.5V時(shí)，sensor plate裝配正常. 如果sensor的量測(cè)不正常， 則應(yīng)是sensoramplifier損壞.
 

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　6.試問(wèn)壓床的蜂巢板壓下後不會(huì)自動(dòng)測(cè)試是那裡有問(wèn)題　?　

　1. 程式狀態(tài) (status)下未設(shè)定自動(dòng) (Fix auto ON)
　2. 氣壓缸上底部的近接開(kāi)關(guān)未調(diào)整定位
　3. SYSTEM BOARD、CABLE或光電控制板**
　4. 壓床控制線鬆動(dòng)
 

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　7. 試問(wèn)小電阻如何量測(cè) ?　

一般小電阻量測(cè)(0.1Ω~2Ω)，可以把它當(dāng)成JUMPER的方式測(cè)量但只可量測(cè)有無(wú)缺件. 若需較精確的量測(cè)，就須用四端量測(cè).原理如下：


 

信號(hào)源和量測(cè)各有自己的回路，因此可準(zhǔn)確量測(cè)RX上的壓降。


應(yīng)用：小電阻如 0.1Ω~10Ω，小電感，小電容量測(cè)時(shí)會(huì)受到 cable 和探針接觸**的影響，而造成測(cè)試不穩(wěn)，而四線量測(cè)就可以解決這些問(wèn)題。
由二線式改為四線式量測(cè)法的修改說(shuō)明如下：

　a. relay board需做以下修改，JA， JB， JC 跳線拿掉， 使之開(kāi)路OPEN。
　b. JA0， JA1， JA2， JA3， JB0， JB1， JB2， JB3， JG0， JG1， JG2， JG3
　　原本短路情況為　
　　將其斷開(kāi)，短路另一側(cè)。
　　　　　　　　　　
　c. 此時(shí)Relay board只剩下32點(diǎn)， 因?yàn)?*連接器已被當(dāng)成sense使用。
　d. 程式方面須做如下設(shè)定：
Device
STDVAL
ACTVAL
+%
-%
MD
A
B
G
R1
　
0.1
30%
30%
D1
1
2
　

　e. 在此設(shè)定下，電阻值*小可量測(cè)到0.01Ω。

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　8. 試問(wèn) JET-300 可否可做 Functional test?　

可。目前本公司只提供+5V、-5V、+12V、+3.3V。

硬體方面， 治具須追加一個(gè)molex 7 pin母座之轉(zhuǎn)換板，以做為插槽之用，程式方面則須做以下設(shè)定。
STEP
Device
Lc
STD
ACT
+%
-%
MD
TM
A
B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
B
C
D
E
F
G
E
1
Vcc
A1
5
0V
5
5
HV
10
2
5
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
2
Vcc3
A1
3.3
0V
5
5
HV
0
10
5
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
3
END
A1
1
0V
5
5
HV
10
2
5
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1

在程式編輯下按"ALT+K"會(huì)顯示編輯Relay碼。將STEP 2之第4及e填入1，
並將 Relay 開(kāi)啟送出所需電源。量完須關(guān)閉電源。 (如STEP3)

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　9. 試問(wèn)二個(gè)並聯(lián)二極體 (如下圖) 如何量測(cè) ?　

二極體並聯(lián)須用CM mode 量測(cè)。程式須設(shè)定如下：
 
STEP
Device
Lc
STD
ACT
+%
-%
MD
RG
TM
A
B
1
D1
A1
0
0.7V
30
30
DT
0
0
10
20
2
D1
A1
40mA
0.7V
10
10
CM
0
0
10
20

STEP2須加電壓(ACTVAL) 0.6V左右，調(diào)整ACTVAL電壓使其電流量到約40mA。

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　10. 試問(wèn)Debug RelayBoard出現(xiàn)錯(cuò)誤訊息時(shí)， 如何判斷那塊板子的那個(gè)Relay 有問(wèn)題 ?　

茲舉例說(shuō)明之：
 

Open on B130 (B3: P2)

意指B開(kāi)關(guān)第3片板的第2點(diǎn)B Relay損壞，因此只要將該Relay換掉即可。

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　11. 電容極性如何量測(cè) ? 　

(1)漏電流量測(cè)：
　假設(shè)C1為100uF25V，將程式修改為STEP 2，按F9測(cè)試量測(cè)電容之正常漏電流，
　並將它填入STDVAL，如果C1反向則漏電流會(huì)增大
STEP
DEVICE
STDVAL
ACTVAL
+%
-%
MD
A
B
1
C1
0
100uF
30
30
DT
10
20
2
C1
1.4mA
10V
30
30
CM
10
20

　註：每個(gè)電容值耐壓都有不同，所以在ACTVAL之電壓是不一定的。

(2)三端點(diǎn)量測(cè)：
　此方法用於量測(cè)電解電容，此量測(cè)法須於電容上端栽針(如圖)，程式修改如下：
STEP
DEVICE
STDVAL
ACTVAL
+%
-%
MD
T
A
B
G
3
C2
0
10uF
30
30
DC
0
10
20
0
4
C2
0.1
0.2V
30
0
LV
10
30
10
20

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　12. 如何量測(cè)電晶體β值 ? 　

NPN電晶體：
　A點(diǎn)接Q3~c，B點(diǎn)接Q3~e，G1點(diǎn)接Q3~b
　ACTVAL 送出Vb電壓(0~5V)；MD為N，RG為+1，STDVAL填入β值，調(diào)整Vb電壓，
　使其讀到之β值為*大*穩(wěn)定如( STEP 1 )
PNP電晶體：
　A點(diǎn)接Q4-e，B點(diǎn)接Q4-c，G1點(diǎn)接Q4-b
　ACTVAL送出Vb電壓(5~0V)；MD為P， RG為+1，STDVAL填入β值，調(diào)整Vb電壓，
　使其讀到之β值為*大*穩(wěn)定( STEP 2 )
 
STEP
DEVICE
LC
STDVAL
ACTVAL
+%
-%
MD
RG
TM
A
B
G1
G2
1
Q3
D1
100
1.0V
30
30
N
1
5
2
3
1
0
2
Q4
D1
100
4.1V
30
30
P
1
5
2
3
1
0

BackTop

　13.如何量測(cè)主機(jī)板上電源穩(wěn)壓IC之輸出電壓 ? 　

首先需要外加電源， 機(jī)器的修改方法如附圖A。
　a. 治具追加一個(gè)有Molex 7 pin母座之轉(zhuǎn)換版。
　b. Pin 1 (輸出為5V)接至 NET NAME 為 VCC的探針 (預(yù)設(shè)為2號(hào)探針)。
　c. Pin 2 (為電源輸出的GND)接至 NET NAME 為GND的探針 (預(yù)設(shè)為5號(hào)探針)。
　d.Pin 7(輸出為3.3V) 接至 NET NAME 為VCC3的探針 (預(yù)設(shè)為10號(hào)探針)。
　e. 參考附圖B及下列程式， 便可測(cè)試其電源穩(wěn)壓IC之輸出電壓VCC2， VTT。
 
STEP
Device
Lc
STD
ACT
+%
-%
MD
RG
TM
A
B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
B
C
D
E
F
G
E
1
Vcc
A1
5
0V
10
10
HV
0
10
2
5
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
2
Vcc3
A1
3.3
0V
10
10
HV
0
0
10
5
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
3
END
A1
12V
0V
5
5
HV
0
0
15
5
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
4
+12V
A1
2.5
0V
5
5
HV
0
0
80
5
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
5
V2.5
A1
2.1
0V
5
5
HV
0
0
99
5
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
6
VTT
A1
1mA
0.1V
00
00
CM
0
10
2
5
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
7
END
A1
1mA
0.1V
00
00
CM
0
10
2
5
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
8
END
A1
0.1
0V
10
00
HV
0
10
2
5
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
9
END
A1
1mA
0.1V
00
00
CM
0
10
10
5
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
10
END
A1
0.1
0V
10
00
HV
0
10
10
5
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
11
END
A1
1mA
0.1V
00
00
CM
0
10
15
5
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
12
END
A1
0.1
0V
10
00
HV
0
10
15
5
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1

　假設(shè)STEP 8， 10 和12未放它至0.1V以下， 須增加STEP 7， 9 和11的TM值，
　繼續(xù)量測(cè)直到STEP 8， 10 和12的STD 值至0.1V以下

jet300nt程序調(diào)試及原理