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治具調(diào)試注意事項

日期：2024-08-02 01:21
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摘要：
治具調(diào)試注意事項：
治具調(diào)試程序：
治具安裝->系統(tǒng)參數(shù)設置->Open/Short學習及測試->各種零件的調(diào)試->IC保護二極管的學習及測試->DiodeCheck的學習及測試->多聯(lián)片的拷貝->IC Open學習及測試。
測試資料文件偵錯注意事項:
1.       原則一: Stand_V與Actual_V相同(限于R,L,C), 萬不得已時才考慮修改;
2.       原則二: 量測值**而真實,越接近Actual_V (主要指R,L,C及齊納電壓等)越好. 即Dev%越小越好(大多數(shù)應在+/-3%以內(nèi)).
3.       原則三: 量測值越穩(wěn)定越好.按F8看測量值小數(shù)點前后的跳動情況,或按F9,F10看統(tǒng)計分布圖.   (重復測試同一塊板子10次以上,并在試產(chǎn)時測試不同的板子數(shù)十片以上,以檢驗測試的穩(wěn)定性.而在量產(chǎn)初期要邊測試邊修改,更要定期查看或打印出*壞(Report ->Worst)零件統(tǒng)計表,進行有針對性的修正,如此3天至一周以后,應做到測試非常穩(wěn)定.)
4.       原則四: 省時,即省去多余延時或通過改用其它模式,設置隔離點等以達到省時目的. 其前提是須保證測量值**而真實,穩(wěn)定.
5.       在測試資料文件偵錯前，必需先進行短路點學習，因為使用自動尋找隔離點功能時會用到短路點資料。
6.       特大電容在Open/Short學習時,可能會學成Short,而大電感則反之.
7.       隔離點的選擇,通過按F7或ALT+F7,或者加適當延時等修改后再按F7或ALT+F7由系統(tǒng)自動完成,絕大多數(shù)可達到效果.經(jīng)驗表明,隔離點太多,測量值可能不穩(wěn)定. 一般選擇0~2個隔離點可以滿足要求,并且隔離點的選擇一般僅隔離一面.如果按F7或ALT+F7后,系統(tǒng)選擇的隔離點太多,則要重新作自動隔離,以找到一種隔離點較少且測量****的方案.
8.       一般而言,以電流源當信號源測試的R是以相接組件較少的一端作為高點,而以電壓源當信號源測試的C,L,R//C,R//L則是以相接組件較少的一端作為低點.按ALT+F7可作自動選擇隔離點而不互換高低點.
9.       對于不穩(wěn)定的步驟,考慮設RPT為5/D(Discharge需要一定時間).
10.  大電阻并聯(lián)大電容: 為確?？煽康臏y出缺件,RPT不超過2為宜或者不設置. 釆用HIGH SPEED MODER//C，測量值較不穩(wěn)定，宜將+/-Lm%設為30左右。
11.  有加重測功能的步驟，其測試值是分布在上限邊緣或是在下限邊緣的則不必去修改。因為測試值若是在良品范圍之外，系統(tǒng)會自動進行重測(連續(xù)的重測亦會起到延時的效果)。而延遲時間加得太長，會影響到測試時間。
12.  關于“-1”的使用場合: +/-Lm%可設為“-1”,以忽略其限制. 經(jīng)驗表明,以下幾種情況不提倡使用“-1”.
a)       小電阻(如1.0~2OHM), -Lm%勿取-1(0電阻除外),要確保能測出連錫短路;
 因過小的電阻一般在Open/Short測試時,無法檢出連錫.
b)       DIODE反向壓降測試, +Lm%勿取-1,因探針接觸不佳開路時,電壓降更大;
c)       電容極性測試, -Lm%勿取-1,因探針接觸不佳開路時,電流會更小.
雖然因探針接觸不佳開路時,DIODE的正向測試或電容容值會FAIL,但RETRY時僅就**步驟進行再測試.
13.  對于無法準確測試的情形,比如:大電阻并聯(lián)大電容,過小的小電容等,可考慮修改Stand_V和放大+/-Lm%而保留測試.無論如何,不要釆取刪略(Skip)的下策. 雖然有時這顆組件既便漏件也不可測,但并不表示錯成其它任何組件都不可測.
14.  據(jù)時間常數(shù)τ=RC,且系統(tǒng)對大電阻提供的電流源會比小電阻小,故在整個網(wǎng)絡中,大電阻須延時的機會會比小電阻多. 遇大電阻,按F7學習后,如得到的測量值不甚接近實際值或者不穩(wěn)定,則可設DLY為10或以上,再按F7學習.如果延時須要太久,可考慮釆用HIGH SPEED MODER//C.
15.  在線路圖和零件表上沒有列出電感值的電感，可以按下F8鍵，以所量到的電感值當做標準值。對于感值在mH級以上的電感(包括變壓器,繼電器等線圈),均補增R模式測試,且延時必須為10以上,亦考慮設RPT為5或D,使其呈現(xiàn)為較小電阻(此為防范選錯針號,以及更確保測出內(nèi)部開路的必要步驟).
16. 所有電感,包括變壓器(Transformer),繼電器(Relay),高壓包(LOT)等線圈,原則均宜采用電感(L)模式測試,以確保測出短路或者錯件及**。有些電感測試能力較差的品牌，往往將其當作跳線或者小電阻來測試，僅能測出開路。
17.  選擇低頻(MODE1)測試小電感時,同小電阻類似,測量值受探針接觸電阻影響較大,可將上限適當放寬至50以上.
18.   關于電容極性測試, 一般可按如下方法試之:
                        i.             設ACT_V為5~10V, (初設9V,試之不佳,再考慮將其改為5V等.)
                      ii.             MODE為6 (<20mA) (一般電流越大越好)
                     iii.             STD_V為0.2~0.5mA (此設定以可完全準確測出插反為準,可更大些.)
                    iv.             HI-PIN為電容陽極
                      v.             LO-PIN為電容陰極.
                    vi.             -LM% 可設至60~90.
19.   作為旁路的小電容,一般上限充許較大誤差, 確保*低值滿足要求即可. 精度要求非常高的電容另慮.
20.   對于100pF以下的小電容,如果不穩(wěn)定,上限可寬至40~80.
21.   對于3nF以下的電容,按F7學習失敗,可試蓍在Offset設定200,500,2000等等,再按F7學習,如在生產(chǎn)中欲重新學習,*好先去除Offset,再按如前所述試之.
22.   大電容有時會遭誤判，可以將該大電容的高低點互換試之。對于40uF以上的電容,按F7學習釆用MODE4測試,如果測量值不接近實際值,可將MODE改為8再試.因大電流充電,其充電曲線較陡.
23.  所有二極管均釆用正,反向雙步測試.以更確保測出插反或錯件,乃至組件**.具體方法:
按CTRL+ENTER插入一步后,分別將Stand_V設置為9.9V, MODE為1, RPT為5/D, 如并聯(lián)大電容,則要足夠延時.再按F8得Meas_V, 然后以Meas_V修改Stand_V, 設+/-Lm%為20~30(不提倡使用-1).
24.   對于SMD板,在參數(shù)設置時,要注意一般不要讓ICT加到UUT的電壓超過3V(一般IC的工作電壓)左右為宜.
25.   對于計算機主板,宜增加一步VCC與GND之間的電阻測試,并加足夠的延時.
TR518/TR518FE/TR518FR/TR518FV/TR5001機器RCL等器件的調(diào)試技術(shù)