TR518測(cè)試資料檔偵錯(cuò)注意事項(xiàng):

1.        原則一: Stand_V與Actual_V相同(限于R,L,C), 萬(wàn)不得已時(shí)才考慮修改;

2.        原則二: 量測(cè)值精確而真實(shí),越接近Actual_V (主要指R,L,C及齊納電壓等)越好. 即Dev%越小越好(大多數(shù)應(yīng)在+/-3%以內(nèi)).

3.        原則三: 量測(cè)值越穩(wěn)定越好. 按F8看測(cè)量值小數(shù)點(diǎn)前後的跳動(dòng)情況,或按F9,F10看統(tǒng)計(jì)分布圖.    (重復(fù)測(cè)試同一塊板子10次以上,并在試產(chǎn)時(shí)測(cè)試不同的板子數(shù)十片以上,以檢驗(yàn)測(cè)試的穩(wěn)定性. 而在量產(chǎn)初期要邊測(cè)試邊修改,更要定期查看或打印出*壞(Report -> Worst)零件統(tǒng)計(jì)表,進(jìn)行有針對(duì)性的修正,如此3天至一周以后,應(yīng)做到測(cè)試非常穩(wěn)定.)

4.        原則四: 省時(shí),即省去多余延時(shí)或通過(guò)改用其它模式,設(shè)置隔離點(diǎn)等以達(dá)到省時(shí)目的. 其前提是須保証測(cè)量值精確而真實(shí),穩(wěn)定.

5.        在測(cè)試資料檔偵錯(cuò)前，必需先進(jìn)行短路點(diǎn)學(xué)習(xí)，因?yàn)槭褂米詣?dòng)尋找隔離點(diǎn)功能時(shí)會(huì)用到短路點(diǎn)資料。

6.        特大電容在Open/Short學(xué)習(xí)時(shí),可能會(huì)學(xué)成Short,而大電感則反之.

7.        隔離點(diǎn)的選擇,通過(guò)按F7或ALT+F7,或者加適當(dāng)延時(shí)等修改後再按F7或ALT+F7由系統(tǒng)自動(dòng)完成,絕大多數(shù)可達(dá)到效果. 經(jīng)驗(yàn)表明,隔離點(diǎn)太多,測(cè)量值可能不穩(wěn)定. 一般選擇0~2個(gè)隔離點(diǎn)可以滿足要求,并且隔離點(diǎn)的選擇一般僅隔離一面. 如果按F7或ALT+F7後,系統(tǒng)選擇的隔離點(diǎn)太多,則要重新作自動(dòng)隔離,以找到一種隔離點(diǎn)較少且測(cè)量****的方案.

8.        一般而言,以電流源當(dāng)信號(hào)源測(cè)試的R是以相接元件較少的一端作為高點(diǎn),而 以電壓源當(dāng)信號(hào)源測(cè)試的C,L,R//C,R//L則是以相接元件較少的一端作為低點(diǎn). 按ALT+F7可作自動(dòng)選擇隔離點(diǎn)而不互換高低點(diǎn).

9.        儘量使用重測(cè)功能，而少用平均值功能, 以縮短測(cè)試時(shí)間。(本廠暫無(wú)平均值功能.)

10.    對(duì)于不穩(wěn)定的步驟,考慮設(shè)RPT為5/D(Discharge需要一定時(shí)間).

11.    大電阻并聯(lián)大電容: 為確保可靠的測(cè)出缺件, RPT不超過(guò)2為宜或者不設(shè)置 . 釆用HIGH SPEED MODE R//C，測(cè)量值較不穩(wěn)定，宜將+/-Lm%設(shè)為30左右。

12.    有加重測(cè)功能的步驟，其測(cè)試值是分佈在上限邊緣或是在下限邊緣的則不必去修改。因?yàn)闇y(cè)試值若是在良品範(fàn)圍之外，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)進(jìn)行重測(cè)(連續(xù)的重測(cè)亦會(huì)起到延時(shí)的效果)。而延遲時(shí)間加得太長(zhǎng)，會(huì)影響到測(cè)試時(shí)間。

13.    關(guān)于“-1”的使用場(chǎng)合: +/-Lm%可設(shè)為“-1”,以忽略其限制. 經(jīng)驗(yàn)表明,以下幾種情況不提倡使用“-1”.

1).小電阻(如1.0~2OHM), -Lm%勿取-1(0電阻除外),要確保能測(cè)出連錫短路;

l        因過(guò)小的電阻一般在Open/Short測(cè)試時(shí),無(wú)法檢出連錫.

2).DIODE反向壓降測(cè)試, +Lm%勿取-1,因探針接觸不佳開(kāi)路時(shí),電壓降更大;

3).電容極性測(cè)試, -Lm%勿取-1,因探針接觸不佳開(kāi)路時(shí),電流會(huì)更小.

l        雖然因探針接觸不佳開(kāi)路時(shí),DIODE 的正向測(cè)試或電容容值會(huì)FAIL,但RETRY時(shí)僅就**步驟進(jìn)行再測(cè)試.

14.    對(duì)于無(wú)法準(zhǔn)確測(cè)試的情形,比如:大電阻并聯(lián)大電容,過(guò)小的小電容等,可考慮修改Stand_V和放大+/-Lm%而保留測(cè)試. 無(wú)論如何,不要釆取刪略(Skip)的下策. 雖然有時(shí)這顆元件既便漏件也不可測(cè),但并不表示錯(cuò)成其它任何元件都不可測(cè).

15.    據(jù)時(shí)間常數(shù)τ=RC,且系統(tǒng)對(duì)大電阻提供的電流源會(huì)比小電阻小,故在整個(gè)網(wǎng)路中,大電阻須延時(shí)的機(jī)會(huì)會(huì)比小電阻多. 遇大電阻,按F7學(xué)習(xí)後,如得到的測(cè)量值不甚接近實(shí)際值或者不穩(wěn)定,則可設(shè)DLY為10或以上,再按F7學(xué)習(xí). 如果延時(shí)須要太久,可考慮釆用HIGH SPEED MODE R//C.

16.    在線路圖和零件表上沒(méi)有列出電感值的電感，可以按下F8鍵，以所量到的電感值當(dāng)做標(biāo)準(zhǔn)值。對(duì)于感值在mH級(jí)以上的電感(包括變壓器, 繼電器等線圈),均補(bǔ)增R模式測(cè)試,且延時(shí)必須為10以上,亦考慮設(shè)RPT為5或D,使其呈現(xiàn)為較小電阻(此為防範(fàn)選錯(cuò)針號(hào),以及更確保測(cè)出內(nèi)部開(kāi)路的必要步驟).

17.  所有電感,包括變壓器(Transformer),繼電器(Relay),高壓包(LOT)等線圈,原則均宜采用電感(L)模式測(cè)試,以確保測(cè)出短路或者錯(cuò)件及**。有些電感測(cè)試能力較差的品牌，往往將其當(dāng)作跳線或者小電阻來(lái)測(cè)試，僅能測(cè)出開(kāi)路。

18.    選擇低頻(MODE1)測(cè)試小電感時(shí),同小電阻類似,測(cè)量值受探針接觸電阻影響較大,可將上限適當(dāng)放寬至50以上.

19.    關(guān)于電容極性測(cè)試, 一般可按如下方法試之:

設(shè)ACT_V為5~10V, (初設(shè)9V,試之不佳,再考慮將其改為5V等.)

MODE為6 (<20mA)  (一般電流越大越好)

STD_V為0.2~0.5mA (此設(shè)定以可完全準(zhǔn)確測(cè)出插反為準(zhǔn),可更大些.)

HI-PIN為電容陽(yáng)極

LO-PIN為電容陰極.

-LM% 可設(shè)至60~90.

20.    作為旁路的小電容, 一般上限充許較大誤差, 確保*低值滿足要求即可. 精度要求非常高的電容另慮.

21.    對(duì)于100pF以下的小電容,如果不穩(wěn)定,上限可寬至40~80,

22.    對(duì)于3nF以下的電容,按F7學(xué)習(xí)失敗,可試蓍在Offset設(shè)定200,500,2000等等,再按F7學(xué)習(xí),如在生產(chǎn)中欲重新學(xué)習(xí),*好先去除Offset,再按如前所述試之.

23.    大電容有時(shí)會(huì)遭誤判，可以將該大電容的高低點(diǎn)互換試之。對(duì)于40uF以上的電容,按F7學(xué)習(xí)釆用MODE4測(cè)試,如果測(cè)量值不接近實(shí)際值,可將MODE改為8再試. 因大電流充電,其充電曲線較陡.

24.    所有二極體均釆用正,反向雙步測(cè)試. 以更確保測(cè)出插反或錯(cuò)件,乃至元件**. 具體方法:

   按CTRL+ENTER插入一步後,分別將Stand_V設(shè)置為9.9V, MODE為1, RPT為5/D, 如并聯(lián)大電容,則要足夠延時(shí). 再按F8得Meas_V, 然后以Meas_V修改Stand_V, 設(shè)+/-Lm%為20~30(不提倡使用-1).
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